BSB012NE2LX和BSB012NE2LXIXUMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSB012NE2LX BSB012NE2LXIXUMA1 FDMS2504SDC

描述 N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3N沟道 25V 42A 49A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 MG-WDSON-2 MG-WDSON-2 Power-56-8

引脚数 - - 8

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 2.8W (Ta), 57W (Tc) 57 W 3.3 W

阈值电压 1.2V ~ 2V 1V ~ 2V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 37A 37A 42A

输入电容(Ciss) 4900pF @12V(Vds) 5852pF @12V(Vds) 7770pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 2.8 W - 3.3 W

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 3.3W (Ta), 104W (Tc)

通道数 - 1 2

漏源极电阻 - 1 mΩ 0.001 Ω

漏源击穿电压 - 25 V 25 V

上升时间 - 6.4 ns 9 ns

下降时间 - 4.8 ns 5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 55 ℃

额定功率 - 57 W -

封装 MG-WDSON-2 MG-WDSON-2 Power-56-8

长度 - 6.35 mm 6 mm

宽度 - 5.05 mm 5 mm

高度 - 0.7 mm 1.1 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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