IRF1405ZSTRLPBF和IRF1405ZSTRRPBF

对比图

型号 IRF1405ZSTRLPBF IRF1405ZSTRRPBF IRF1405ZS

描述 N沟道 55V 75AD2PAK N-CH 55V 150AD2PAK N-CH 55V 150A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 230 W 230 W -

通道数 1 - -

漏源极电阻 4.9 mΩ - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 230 W 230 W 230W (Tc)

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V - -

连续漏极电流(Ids) 150A 150A 150A

上升时间 110 ns 110 ns -

输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)

下降时间 82 ns 82 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead