IRFIZ44N和IRFIZ44NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFIZ44N IRFIZ44NPBF

描述 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) packageINFINEON  IRFIZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 55 V, 24 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V -

额定电流 31.0 A -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 38.0 W 38 W

产品系列 IRFIZ44N -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A

上升时间 69 ns 69 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45000 mW 45W (Tc)

额定功率 - 38 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.024 Ω

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1300 pF

额定功率(Max) - 45 W

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10 mm

宽度 - 4.4 mm

高度 - 15.65 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台