BZX55C3V9-TR和BZX79C3V9-AP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C3V9-TR BZX79C3V9-AP TCBZX79C3V9.TB

描述 Diode Zener Single 3.9V 5% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin DO-35 T/RDO-35 3.9V 0.5W(1/2W)Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.13%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科) TAK Cheong

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - -

耗散功率 500 mW 500 mW -

稳压值 3.9 V 3.9 V -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.5V @200mA - -

测试电流 5 mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 3.9 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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