对比图
型号 IRF512 IRF540N 2SK2050
描述 N沟道功率MOSFET ， 5.5 A， 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100VTO-220AB N-CH 100V 33ATO-220AB N-CH 100V 30A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) FUJI (富士电机)
分类 MOS管晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3 TO-220
引脚数 - 3 -
极性 - N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 33.0 A 30A
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 27.0 A -
产品系列 - IRF540N -
上升时间 - 35 ns -
输入电容(Ciss) - 1960pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 130 W -
下降时间 - 35 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 130W (Tc) -
封装 - TO-220-3 TO-220
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube -
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -
RoHS标准 - Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -