DTA143ZM3T5G和DTA143ZUBTL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA143ZM3T5G DTA143ZUBTL DTA143XUAT106

描述 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。PNP -100mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)DTA143XUAT106 编带

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-723-3 UMT-3F-3 SOT-323-3

额定功率 - 0.2 W 0.2 W

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.6 W 0.2 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V

额定功率(Max) 260 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 600 mW 200 mW 200 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

封装 SOT-723-3 UMT-3F-3 SOT-323-3

长度 1.25 mm - -

宽度 0.85 mm - -

高度 0.55 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not For New Designs Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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