对比图
型号 IXTH50N25T IXTP50N25T IXTQ50N25T
描述 Mosfet n-Ch 250V 50A To-247N沟道 250VN沟道 250V 50A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-3-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 60 mΩ -
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 400W (Tc) 400 W 400W (Tc)
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 - 250 V -
连续漏极电流(Ids) - 50A 50A
上升时间 - 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)
下降时间 - 25 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
额定功率(Max) - - 400 W
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free