OPA830IDG4和OPA830IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA830IDG4 OPA830IDR OPA830ID

描述 低功耗,单电源,宽带运算放大器 Low-Power, Single-Supply, Wideband Operational Amplifier低功耗,单电源,宽带运算放大器 Low-Power, Single-Supply, Wideband Operational AmplifierOPA 系列,Texas Instruments### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 80mA @5V 80mA @5V 80mA @5V

供电电流 4.25 mA 4.25 mA 4.25 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 76 dB 76 dB 76dB ~ 80dB

输入补偿漂移 25.0 µV/K 25.0 µV/K 25.0 µV/K

带宽 110 MHz 110 MHz 250 MHz

转换速率 600 V/μs 600 V/μs 600 V/μs

增益频宽积 110 MHz 110 MHz 110 MHz

输入补偿电压 1.5 mV 1.5 mV 1.5 mV

输入偏置电流 5 µA 5 µA 5 µA

可用通道 S, D S, D S, D

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 310 MHz 310 MHz 310 MHz

共模抑制比(Min) 76 dB 76 dB 76 dB

增益带宽 - 110 MHz 110 MHz

针脚数 - - 8

电源电压(Max) - - 11 V

电源电压(Min) - - 2.8 V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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