CY7C1512AV18-200BZC和CY7C1512AV18-200BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1512AV18-200BZC CY7C1512AV18-200BZXC GS8662Q18BGD-200

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA

安装方式 Surface Mount - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA

高度 0.89 mm 0.89 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

位数 - 18 -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台