AUIRFZ48ZS和IRFZ48ZS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFZ48ZS IRFZ48ZS IRFZ48ZSPBF

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3D2PAK N-CH 55V 61AINFINEON  IRFZ48ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 55 V, 0.0086 ohm, 10 V, 4 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 91 W - 91 W

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 91000 mW 91W (Tc) 91 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 61A 61A 61A

上升时间 69 ns - -

输入电容(Ciss) 1720pF @25V(Vds) 1720pF @25V(Vds) 1720pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 91W (Tc) 91W (Tc) 91W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0086 Ω

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 55 V

额定功率(Max) - - 91 W

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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