IXTK90P20P和IXTX90P20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTK90P20P IXTX90P20P

描述 TO-264P-CH 200V 90APLUS P-CH 200V 90A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 44 mΩ

极性 P-CH P-CH

耗散功率 890 W 890 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

连续漏极电流(Ids) 90A 90A

上升时间 60 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 12000 pF

下降时间 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc)

额定功率(Max) 890 W -

长度 - 16.13 mm

宽度 - 5.21 mm

高度 - 21.34 mm

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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