PHX9NQ20T和PHX9NQ20T,127

对比图

型号 PHX9NQ20T PHX9NQ20T,127

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-220F N-CH 200V 5.2A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

极性 - N-CH

耗散功率 25 W 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.20 A 5.2A

输入电容(Ciss) - 959pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 25W (Tc)

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 5.20 A -

输入电容 959 pF -

栅电荷 24.0 nC -

上升时间 19 ns -

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.3 mm -

宽度 4.6 mm -

高度 9.3 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Bulk, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free