对比图
型号 IXSX80N60B IXXH100N60B3 IXGX120N60B
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADIGBT 600V 200A 660W TO247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 - 830 W -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 500 W 830 W 660 W
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 830000 mW -
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 200 A
上升时间 - - 45.0 ns
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
宽度 - - 5.21 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -