对比图
型号 IRLML2402GTRPBF IRLML6244TRPBF IRLML2402TRPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLML6244TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 VN 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 - 1.3 W 0.54 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 21 mΩ 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 540 mW 1.3 W 540 mW
阈值电压 700 mV 900 mV 700 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 1.2A 6.3A 1.2A
上升时间 9.5 ns 7.5 ns 9.5 ns
输入电容(Ciss) 110pF @15V(Vds) 700pF @16V(Vds) 110pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 540 mW
下降时间 4.8 ns 12 ns 4.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540mW (Ta) 1.3W (Ta) 540mW (Ta)
长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17