2N4922G和BD235

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4922G BD235 2N4402

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFENPN功率晶体管 NPN power transistorsNTE ELECTRONICS  2N4402  晶体管, PNP, -40V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-92

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 1.00 A 2.00 A -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN - PNP, P-Channel

耗散功率 30 W 25 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

热阻 4.16℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 25 @1A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

额定功率(Max) 30 W 25 W -

直流电流增益(hFE) 10 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 25000 mW -

长度 7.8 mm 7.8 mm -

宽度 2.66 mm 2.7 mm -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-92

高度 - 10.8 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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