71024S12YG8和IDT71024S12YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71024S12YG8 IDT71024S12YG AS7C1024B-12JIN

描述 5V 128K x 8 Asynchronous Static RAM with Corner Power & Ground PinoutINTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY  IDT71024S12YG  芯片, 1M SRAM静态随机存取存储器 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOJ-32 BSOJ-32 BSOJ-32

电源电压(DC) - 4.50V (min) 4.50V (min)

针脚数 - 32 -

存取时间 - 12 ns 12 ns

内存容量 - 125000 B 1000000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

封装 SOJ-32 BSOJ-32 BSOJ-32

长度 20.9 mm - -

宽度 10.2 mm - -

厚度 2.20 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - 3A991 -

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