对比图
型号 JANTX2N3501L JANTXV2N3501 JAN2N3501
描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-5 TO-39 TO-205
耗散功率 1 W 1 W 1 W
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 0.3A -
封装 TO-5 TO-39 TO-205
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Bag Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - EAR99