TLE2062AMDG4和TLE2062CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2062AMDG4 TLE2062CDR TL072ACDT

描述 神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLE2062CDR  芯片, 运算放大器, JFET, 2MHZ, 2路, 8SOICTL072A 系列 36 V 4 MHz 低噪声 JFET 双通道 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 625 µA 625 µA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 -

共模抑制比 65 dB 65 dB 80 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K -

带宽 1.80 MHz 1.8 MHz 4 MHz

转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 2 MHz 1.8 MHz 4 MHz

输入补偿电压 800 µV 900 µV 3 mV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 20 pA

输出电流 - ≤80 mA -

针脚数 - 8 8

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 2 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) - 65 dB 80 dB

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.5 mm 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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