对比图
型号 IXFN150N10 IXFN180N10 IXFN280N085
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227BIXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 85V 280A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Chassis -
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
通道数 - 1 1
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 0.008 Ω 4.4 mΩ
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 520 W 600 W 700 W
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 85 V
漏源击穿电压 - 100 V 85 V
连续漏极电流(Ids) - 180 A 280A
上升时间 60 ns 90 ns 95 ns
隔离电压 - 2.50 kV -
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 9100pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 600 W 700 W
下降时间 60 ns 65 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 150 A - -
长度 38.23 mm 38.23 mm 38.23 mm
宽度 25.42 mm 25.42 mm 25.42 mm
高度 9.6 mm 9.6 mm 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 Silicon Silicon Silicon
重量 - 42.0 g -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -