JAN2N3867S和JANTX2N3867

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3867S JANTX2N3867 2N3867

描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-205 TO-5 TO-5

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

封装 TO-205 TO-5 TO-5

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

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