6N139和6N139W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6N139 6N139W

描述 直流输入,极高电流传输比,100K波特率数据传输速率OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP

数据手册 --

制造商 LiteOn (光宝) ON Semiconductor (安森美)

分类 光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 8 -

封装 DIP-8 DIP-8

通道数 1 1

正向电压 1.1 V 1.3 V

耗散功率 35 mW -

隔离电压 5000 Vrms 2500 Vrms

正向电流 20 mA 20 mA

输出电压(Max) 18 V 18 V

正向电压(Max) 1.7 V -

正向电流(Max) 20 mA -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -20 ℃ -

耗散功率(Max) 35 mW -

封装 DIP-8 DIP-8

工作温度 -20℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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