对比图
型号 FGL60N100BNTD FGL60N100BNTDTU
描述 FGL60N100BNTD 管装IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3
额定电压(DC) - 1.00 kV
额定电流 - 60.0 A
额定功率 - -
针脚数 3 -
极性 - -
耗散功率 180 W 180 W
上升时间 - -
击穿电压(集电极-发射极) 1000 V 1000 V
反向恢复时间 1.2 µs 1.2 µs
额定功率(Max) 180 W 180 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180000 mW 180000 mW
长度 - 20 mm
宽度 - 5 mm
高度 - 26 mm
封装 TO-264-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not For New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99