DF150R12RT4和DF200R12KE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DF150R12RT4 DF200R12KE3

描述 与海沟/ Feldstopp IGBT4和发射34毫米模块控制4二极管 34mm Module with Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040000mW 5Pin 62MM Tray

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw

封装 AG-34MM-1 IS5a ( 62 mm )-5

引脚数 5 -

额定功率 790 W 1040 W

耗散功率 790 W 1.04 kW

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃

长度 - 106.4 mm

宽度 - 61.4 mm

高度 - 30.9 mm

封装 AG-34MM-1 IS5a ( 62 mm )-5

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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