对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Screw Surface Mount -
封装 M-174 M174 -
引脚数 4 - -
额定电压(DC) - 36.0 V -
额定电流 - 20.0 A -
耗散功率 270000 mW 270 W -
击穿电压(集电极-发射极) 18 V 18 V -
增益 13 dB 13 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 5V 20 @5A, 5V -
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
额定功率(Max) 270 W 270 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 270000 mW - -
长度 - 24.89 mm -
宽度 - 12.83 mm -
高度 7.11 mm 7.11 mm -
封装 M-174 M174 -
工作温度 200℃ (TJ) 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Contains Lead -