IPP80N08S2-07和SPP80N08S2-07

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP80N08S2-07 SPP80N08S2-07

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A

上升时间 50 ns -

下降时间 30 ns -

额定电压(DC) - 75.0 V

额定电流 - 80.0 A

耗散功率 - 300W (Tc)

输入电容 - 6.13 nF

栅电荷 - 180 nC

输入电容(Ciss) - 6130pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

长度 10 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 15.65 mm -

封装 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

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