AUIRFR9024N和AUIRFR9024NTRR

对比图

型号 AUIRFR9024N AUIRFR9024NTRR IRFR9024N

描述 P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK P-CH 55V 11ATrans MOSFET P-CH 55V 11A 3Pin(2+Tab) DPAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK-252

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - -

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 38 W 38 W 38 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -55.0 V

连续漏极电流(Ids) 11A 11A -11.0 A

上升时间 55 ns 55 ns 55.0 ns

下降时间 37 ns 37 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) - - -55.0 V

额定电流 - - -11.0 A

产品系列 - - IRFR9024N

漏源击穿电压 55 V - -55.0 V

额定功率 38 W - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 175 mΩ - -

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 38W (Tc) - -

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK-252

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -