BF199和BFT92W,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF199 BFT92W,115 BFS20

描述 NPN晶体管RF NPN RF TransistorNXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 20V 0.025A 200mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-323-3 SOT-23

额定电压(DC) 25.0 V - -

额定电流 50.0 mA - -

极性 NPN PNP, P-Channel -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 15 V -

最小电流放大倍数(hFE) 38 @7mA, 10V 20 @15mA, 10V -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW -

频率 - 4000 MHz -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 300 mW 200 mW

增益 - 17 dB -

最大电流放大倍数(hFE) - 20 -

直流电流增益(hFE) - 50 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 200 mW

增益频宽积 - - 450 MHz

封装 TO-226-3 SOT-323-3 SOT-23

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2013/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 ECL99 EAR99 -

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