JAN2N1893S和JANTX2N3499

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1893S JANTX2N3499 2N1893S

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-39 TO-5-3

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 3 W - 3 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 1000 mW 800 mW

封装 TO-205 TO-39 TO-5-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

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