CY7C1041CV33-10ZSXA和IS64LV25616AL-12TLA3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1041CV33-10ZSXA IS64LV25616AL-12TLA3 IS61LV25616AL-10TLI

描述 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44Pin TSOP-IIRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

工作电压 - - 3.3 V

位数 16 16 16

存取时间 10 ns 12 ns 10 ns

内存容量 - 4000000 B 4000000 B

存取时间(Max) 10 ns 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.63 V 3.6 V

电源电压(Min) - 3.135 V 3.135 V

供电电流 100 mA - -

时钟频率 1 MHz - -

长度 18.52 mm - 18.52 mm

宽度 10.262 mm - 10.29 mm

高度 1.044 mm - 1.05 mm

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 PB free

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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