MMBTA43LT1G和MMBTA43LT3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA43LT1G MMBTA43LT3 MMBTA43-TP

描述 高电压晶体管 High Voltage Transistors高电压晶体管 High Voltage TransistorsSOT-23 NPN 200V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

引脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 200 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.05A -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 500 mA - -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V - -

额定功率(Max) 225 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -

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