BLF8G20LS-200V,112和BLF8G20LS-200V,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF8G20LS-200V,112 BLF8G20LS-200V,118 BLF8G20LS-200V,115

描述 RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 200W, 17.5dB, 28V, SOT1120B, LDMOSTrans MOSFET N-CH 65V 7Pin SOT-1120B T/RTrans MOSFET N-CH 65V 7Pin SOT-1120B T/R

数据手册 ---

制造商 Ampleon USA Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 7 7 7

封装 SOT-1120 SOT-1120 SOT-1120

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W 55 W 55 W

增益 17.5 dB 17.5 dB 17.5 dB

测试电流 1.6 A 1.6 A 1.6 A

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

电源电压 28 V - -

封装 SOT-1120 SOT-1120 SOT-1120

高度 - - 4.75 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃

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