对比图
描述 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDMN6013LFG-7 编带
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
引脚数 - 8
极性 N-CH N-CH
耗散功率 1 W 1 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 10.3A 10.3A
上升时间 9.9 ns 27.6 ns
输入电容(Ciss) 2577pF @30V(Vds) 2577pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 1 W
下降时间 11.7 ns 9.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1
漏源极电阻 - 12.3 mΩ
阈值电压 - 1.8 V
漏源击穿电压 - 60 V
耗散功率(Max) - 1W (Ta)
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free