DMN6013LFG-13和DMN6013LFG-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN6013LFG-13 DMN6013LFG-7

描述 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDMN6013LFG-7 编带

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

引脚数 - 8

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1 W 1 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 10.3A 10.3A

上升时间 9.9 ns 27.6 ns

输入电容(Ciss) 2577pF @30V(Vds) 2577pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W

下降时间 11.7 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1

漏源极电阻 - 12.3 mΩ

阈值电压 - 1.8 V

漏源击穿电压 - 60 V

耗散功率(Max) - 1W (Ta)

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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