IXFK360N15T2和IXFX360N15T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK360N15T2 IXFX360N15T2

描述 TO-264 N-CH 150V 360AN沟道 150V 360A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1670000 mW 1670 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 360A 360A

上升时间 170 ns 170 ns

输入电容(Ciss) 47500pF @25V(Vds) 47500pF @25V(Vds)

下降时间 265 ns 265 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1670W (Tc) 1670W (Tc)

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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