TP2104N3-G和TP2104N3-G-P003

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TP2104N3-G TP2104N3-G-P003 2N6660

描述 Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,MicrochipTrans MOSFET P-CH 40V 0.25A 3Pin TO-92 T/R晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 6 Ω - 3 Ω

耗散功率 740 mW 740 mW 6.25 W

阈值电压 - - 2 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 50pF @24V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 740 mW 740mW (Ta) 6.25W (Tc)

额定功率 0.74 W - -

上升时间 4 ns 4 ns -

下降时间 5 ns 5 ns -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3

长度 5.08 mm 5.21 mm -

宽度 4.06 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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