对比图
型号 BSL211SPL6327 BSL211SPL6327XT BSL211SPL6327HTSA1
描述 20V,-4.7A,P沟道功率MOSFETPower Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-6TSOP P-CH 20V 4.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOP-6 TSOP TSOT-23-6
极性 P-Channel - P-CH
耗散功率 - - 2W (Ta)
漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V
连续漏极电流(Ids) 4.70 A - 4.7A
上升时间 - 13.9 ns 13.9 ns
输入电容(Ciss) 654pF @15V(Vds) 654pF @15V(Vds) 654pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W - 2 W
下降时间 - 23.3 ns 23.3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2W (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -4.70 A - -
输入电容 654 pF - -
栅电荷 12.4 nC - -
封装 TSOP-6 TSOP TSOT-23-6
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -