MV2105G和NTE610

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MV2105G NTE610 MV2105

描述 硅调谐二极管 Silicon Tuning DiodesDiode VAR Cap Single 30V 6.1pF 2Pin30V, silicon tuning diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics Leshan Radio (乐山无线电)

分类 变容二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 TO-92-2 Radial -

额定电压(DC) 30.0 V - -

电容 15.0 pF 7.50 pF -

击穿电压 30.0 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

正向电流 - 200 mA -

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm 4.7 mm -

封装 TO-92-2 Radial -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Box Each -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 85411000800 -

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