对比图
型号 IRFB23N20D IRFB23N20DPBF
描述 TO-220AB N-CH 200V 24AINFINEON IRFB23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 170 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.1 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 3.8W (Ta), 170W (Tc) 170 W
阈值电压 - 5.5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 24A
上升时间 32.0 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.8 W
下降时间 - 16 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
额定电压(DC) 200 V -
额定电流 24.0 A -
产品系列 IRFB23N20D -
输入电容 - -
热阻 - -
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - -
ECCN代码 - EAR99