NAND512W3A2BN6和TC58NVM9S3ETA00

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NAND512W3A2BN6 TC58NVM9S3ETA00 K9F1208U0C-PIB0

描述 128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash MemoriesSLC NAND Flash Serial 3.3V 512M-bit 64M x 8 30us 48Pin TSOP-IFlash, 64MX8, 30ns, PDSO48, TSOP1-48

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Samsung (三星)

分类 Flash芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 48 -

封装 TSOP1 TSOP TSOP1

电源电压 - 3.3 V -

封装 TSOP1 TSOP TSOP1

长度 - - 18.4 mm

宽度 - - 12 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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