PN3563和PN3563LEADFREE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PN3563 PN3563LEADFREE 2N5770

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1Element, Silicon, NPN, TO-92RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92,Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-226-3 - TO-226-3

击穿电压(集电极-发射极) 12 V - 15 V

增益 14dB ~ 26dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @8mA, 10V - 50 @8mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW - 625 mW

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 TO-226-3 - TO-226-3

宽度 - - 4.19 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

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