IRHMS597160和S5971

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRHMS597160 S5971 IRHMS597160PBF

描述 TO-254AA P-CH 100V 45APower Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3TO-254AA P-CH 100V 45A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 3 - -

封装 TO-254 - TO-254

极性 P-CH - P-CH

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 45A - 45A

输入电容(Ciss) 6110pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 208000 mW - -

封装 TO-254 - TO-254

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

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