对比图
型号 IXTA06N120P IXTP06N120P
描述 N沟道 1.2kV 600mATrans MOSFET N-CH 1.2kV 0.6A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-263-3 TO-220-3
耗散功率 42 W 42W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V
上升时间 24 ns -
输入电容(Ciss) 270pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 42 W 42 W
下降时间 27 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc)
通道数 - 1
封装 TO-263-3 TO-220-3
宽度 - 4.82 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free