AUIRFZ48ZSTRR和IRFZ48ZS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFZ48ZSTRR IRFZ48ZS AUIRFZ48ZS

描述 D2PAK N-CH 55V 61AD2PAK N-CH 55V 61A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - - 91 W

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 91 W 91W (Tc) 91000 mW

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 61A 61A 61A

上升时间 69 ns - 69 ns

输入电容(Ciss) - 1720pF @25V(Vds) 1720pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns - 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - 91W (Tc) 91W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

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