IXTH22N50P和IXTV22N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH22N50P IXTV22N50P IXTV22N50PS

描述 N沟道 500V 22ATrans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 PLUS-220SMD

耗散功率 350W (Tc) 350W (Tc) 350W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 25 ns - -

输入电容(Ciss) 2630pF @25V(Vds) 2630pF @25V(Vds) 2630pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 350W (Tc) 350W (Tc) 350W (Tc)

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 22.0 A 22.0 A

输入电容 - 2.63 nF 2.63 nF

栅电荷 - 50.0 nC 50.0 nC

连续漏极电流(Ids) - 22.0 A 22.0 A

封装 TO-247-3 TO-220-3 PLUS-220SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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