IPI50R199CP和IPI50R250CP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI50R199CP IPI50R250CP IPI50R299CP

描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 3 3 -

通道数 1 - 1

漏源极电阻 - - 270 mΩ

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 114 W 104 W

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

连续漏极电流(Ids) 17A 13A 12A

上升时间 14 nS 14 nS 14 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @100V(Vds) 1420pF @100V(Vds) 1190pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 139 W 114 W 104 W

下降时间 10 ns 11 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 139 W 33 W -

长度 10.36 mm 10.2 mm 10.2 mm

宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.5 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - ERA99

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