BUZ78和IRFBE20

对比图

型号 BUZ78 IRFBE20 2SK952

描述 SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220ABTO-220AB N-CH 800V 2.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix FUJI (富士电机)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 1.5A - 2.5A

通道数 - 1 -

耗散功率 - 54W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 530pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 54W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

宽度 - 4.7 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -