PIC18F258-I/SP和PIC18F248T-I/SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F258-I/SP PIC18F248T-I/SO PIC18F248-I/SP

描述 MICROCHIP  PIC18F258-I/SP  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F, 40 MHz, 32 KB, 1.5 KB, 28 引脚, NDIPPIC18 系列 768 B RAM 16 kB 闪存 8位 增强型 微控制器 - SOIC-28MICROCHIP  PIC18F248-I/SP  微控制器, 8位, 闪存, PIC18Fxx8, 40 MHz, 16 KB, 768 Byte, 28 引脚, NDIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 SOIC-28 DIP-28

频率 40 MHz - 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5.5V - 2V ~ 5.5V

针脚数 28 - 28

时钟频率 40 MHz 40.0MHz (max) 40.0 MHz

RAM大小 1.5 KB 768 B 768 B

位数 8 8 8

耗散功率 - 1000 mW 1000 mW

FLASH内存容量 32768 B - 16 KB

I/O引脚数 23 23 23

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 32000 B - 16384000 B

内核子架构 PIC18 - PIC18

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 22 Input - 22 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

长度 35.18 mm 17.87 mm 35.18 mm

宽度 7.49 mm 7.49 mm 7.49 mm

高度 3.43 mm 2.31 mm 3.43 mm

封装 DIP-28 SOIC-28 DIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 3A991 3A991.a.2 3A991.a.2

HTS代码 - - 8542310001

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