LM385MX-2.5/NOPB和LM385M-2.5/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385MX-2.5/NOPB LM385M-2.5/NOPB LM385MX-2.5

描述 LM185-2.5 -N / LM285-2.5 -N / LM385-2.5 -N微功耗电压基准二极管 LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N Micropower Voltage Reference Diode2.4V 至 2.5V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。LM185-2.5 -N / LM285-2.5 -N / LM385-2.5 -N微功耗电压基准二极管 LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 10.0 A -

容差 ±3 % ±3 % ±3 %

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 - 10.0 mA -

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 -

输出电压(Max) 2.5 V 2.5 V -

输出电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

精度 ±3 % - 20 mV

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.45 mm 1.45 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

温度系数 ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

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