STFI24NM60N和STI24N60M2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STFI24NM60N STI24N60M2 STF24N60M2

描述 600V,17A,N沟道MOSFETN 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.168 Ω

耗散功率 30 W 150 W 30 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 16.5 ns 9 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @50V(Vds) 1060pF @100V(Vds) 1060pF @100V(Vds)

下降时间 37 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) 150W (Tc) 30W (Tc)

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 18A -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.35 mm 16.4 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -

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