CY7C1314KV18-250BZI和CY7C1314KV18-250BZXCT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1314KV18-250BZI CY7C1314KV18-250BZXCT CY7C1314KV18-250BZXC

描述 18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165Pin FBGA T/R18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 36 36 36

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 - - 670 mA

时钟频率 - - 250 MHz

存取时间 - - 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台