对比图
型号 STB85NF3LL SUM85N03-06P-E3 STB85NF3LLT4
描述 N沟道30V - 0.006ohm - 85A D2PAK低栅电荷STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩II POWER MOSFETMOSFET 30V 85A 100WN沟道30V - 0.006ohm - 85A - D2PAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.006ohm - 85A - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 - TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 85.0 A
漏源极电阻 - - 7.50 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 - 3.75W (Ta), 100W (Tc) 110W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 85.0 A
上升时间 - - 130 ns
输入电容(Ciss) - 3100pF @25V(Vds) 2210pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 110 W
下降时间 - - 36.5 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 100W (Tc) 110W (Tc)
封装 - TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free